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 56. tal thin film with ohmic conta... 2940
[서지사항] 국가 : US 등록번호(Patent No.)/ 일자   06169297 (2001.01.02)   공개번호(Pub.No.)...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
 55. Method for manufacturing p-typ... 107
[서지사항] 국가 : US 등록번호(Patent No.)/ 일자   06294016 (2001.09.25)   공개번호(Pub.No.)...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
 54. Silicon nitride film comprisin... 518
[서지사항] 국가 : US 등록번호(Patent No.)/ 일자   06544870 (2003.04.08)   공개번호(Pub.No.)...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
 53. 발광 다이오드 및 그 제조방법 333
[서지사항] 출원번호/일자    10-2007-0020053   (2007.02.28) 공개번호/일자  ...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
 52. 표면 플라즈몬을 이용하는 발광 다이오드 2799
[서지사항] 출원번호/일자    10-2007-0005717   (2007.01.18) 공개번호/일자  ...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
 51. 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드 686
[서지사항] 출원번호/일자    10-2007-0005716   (2007.01.18) 공개번호/일자  ...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
 50. 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조... 398
[서지사항] 출원번호/일자    10-2006-0065877   (2006.07.13) 공개번호/일자  ...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
 49. 발광 다이오드 168
[서지사항] 출원번호/일자    10-2006-0032387   (2006.04.10) 공개번호/일자  ...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
 48. 발광 다이오드 167
[서지사항] 출원번호/일자    10-2006-0009693   (2006.02.01) 공개번호/일자  ...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
 47. 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 461
[서지사항] 출원번호/일자    10-2006-0008823   (2006.01.27) 공개번호/일자  ...
기술분류 : 전기전자
2008·11·05
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