출원번호/일자 10-2007-0005717 (2007.01.18)
공개번호/일자 10-2008-0068244 (2008.07.23)
등록번호/일자
출원인 광주과학기술원
[요약]
발광 다이오드가 개시된다. 발광 다이오드는 활성층과 n형 질화갈륨 박막 또는 활성층과 n형 AlGaN 클래딩층 사이에 은, 알루미늄 또는 금 등의 금속층으로 이루어진 표면 플라즈몬층을 구비한다. 표면 플라즈몬층을 가지는 발광 다이오드는 금속의 표면 플라즈몬층과 활성층의 사이의 공명 현상에 의해 발광 다이오드의 내부 양자 효율이 크게 개선된다.
[대표청구항]
기판; 상기 기판 상에 형성된 n형의 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루이진 하부 접촉층; 상기 n형의 하부 접촉층 상에 형성되고 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 장벽층 및 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 우물층으로 구성되고, 단일 또는 다중양자 우물구조를 가진 활성층; 상기 활성층 상에 구비된 p형의 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 상부 접촉층; 및 상기 활성층의 상부 또는 하부에 구비되는 금속층을 구비하고, 상기 금속층의 표면 플라즈몬은 상기 활성층의 우물층과 공명을 일으키는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드.
