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전기전자 : 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법
 특허법인 이상    | 2008·11·05 14:24
[서지사항]
출원번호/일자    10-2006-0065877   (2006.07.13)
공개번호/일자    10-2008-0006753   (2008.01.17)  
등록번호/일자    10-0809822-0000   (2008.02.26)  
출원인    광주과학기술원

[요약]
정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 발광 다이오드용 구성요소의 일부가 형성된 발광 다이오드용 기판과 전극층이 형성되어 있는 다이오드 역할을 하는 전도성 기판을 웨이퍼 본딩하여 back to back 구조를 형성한 후 발광 다이오드용 기판을 제거하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 다이오드 특성의 전도성 기판과 전극에 와이어 본딩함으로써 정전기 방전 특성과 광학적 특성, 전기적 특성 및 열적 특성의 향상을 꾀할 수 있으며, 2번의 와이어 본딩만으로 정전기 방전 특성을 갖는 발광 다이오드를 제조할 수 있으므로 공정이 간단하여 경제적인 측면에서도 우수하다.

[대표청구항]
발광 다이오드용 기판 상에 N형 반도체층, 발광 활성층, P형 반도체층, 반사전극층 및 접합층을 순차적으로 형성하는 단계와;다이오드 역할을 하는 전도성 기판을 마련하는 단계와;상기 전도성 기판 상에 다이오드용 전극층을 형성하는 단계와;상기 다이오드용 전극층을 상기 접합층에 접합시키는 단계와;상기 발광 다이오드용 기판을 제거하는 단계와;상기 반사전극층의 소정영역이 노출되도록 상기 N형 반도체층, 상기 발광 활성층 및 상기 P형 반도체층을 메사 식각하는 단계와;상기 N형 반도체 상의 소정영역에는 N형 전극을 형성하고 상기 반사전극층에 있어서 노출된 영역에는 P형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법.
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