출원번호/일자 10-2006-0032387 (2006.04.10)
공개번호/일자 10-2007-0101424 (2007.10.17)
등록번호/일자 10-0794121-0000 (2008.01.04)
출원인 광주과학기술원
[요약]
발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 질화갈륨층과, n형 하부 접촉층과, 장벽층 및 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층과, p형 상부 접촉층과, n형 전극과, p형 전극을 포함하여 이루어지는 III-V 질화물계 발광 다이오드에 있어서 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층은 광결정 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 광결정 구조를 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층에 형성함으로써 광결정 구조를 가지면서도 p형 질화갈륨 박막이 n형으로 전환되지 않으며 오믹전극도 용이하게 형성할 수 있고 광추출 효율을 증가시킬 수 있고, 활성층이나 p형 질화갈륨 박막이 건식 식각에 의한 데미지를 입는 것을 방지할 수 있다.
[대표청구항]
도핑되지 않은 질화갈륨층과, N형 ALXGAYINZN(0 ≤ X, Y, Z ≤ 1)로 이루어지며 상기 질화갈륨층 상에 형성되는 하부 접촉층과, ALXGAYINZN(0 ≤ X, Y, Z ≤ 1)로 이루어지는 장벽층 및 ALXGAYINZN(0 ≤ X, Y, Z ≤ 1)로 이루어지는 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지며 상기 하부 접촉층의 소정영역 상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되며 P형 ALXGAYINZN(0 ≤ X, Y, Z ≤ 1)로 이루어지는 상부 접촉층과, 상기 하부 접촉층에 있어서 상기 활성층이 형성되지 않아 노출된 영역에 형성되는 N형 전극과, 상기 상부 접촉층 상에 형성되는 P형 전극을 포함하여 이루어지되,상기 질화갈륨층은1차 질화갈륨층;상기 1차 질화갈륨층에 무기물 또는 유기물을 사용하여 형성된 광결정 구조; 및상기 1차 질화갈륨층에 형성된 광결정 구조 상에 형성된 2차 질화갈륨층을 구비한 것을 특징으로 하는 III-V 질화물계 발광 다이오드.
