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전기전자 : 발광 다이오드
 특허법인 이상    | 2008·11·05 14:20
[서지사항]
출원번호/일자    10-2006-0009693   (2006.02.01)
공개번호/일자    10-2007-0079180   (2007.08.06)  
공고번호/일자       (2007.12.18)  
등록번호/일자    10-0787361-0000   (2007.12.12)  
출원인    광주과학기술원      

[요약]
발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, n형 화합물 반도체층과, n형 화합물 반도체층 상의 소정영역에 형성된 활성층과, n형 화합물 반도체층에 있어서 활성층이 형성되지 않아 노출된 영역에 형성되는 n형 전극과, 활성층 상에 형성되는 p형 화합물 반도체층과, p형 화합물 반도체상의 소정영역에 형성되는 p형 전극을 포함하여 이루어지며, 상기 구성요소들로 이루어진 결과물의 평면도가 삼각형 형태인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 각각의 구성요소들로 이루어진 결과물의 평면도가 삼각형 형태를 이루게 함으로써 적어도 하나의 면각은 필수적으로 90도 이내 되므로 빛이 발광 다이오드 내부에 갇히지 않고 외부로 추출되어 발광 다이오드 측면에서의 광추출효율이 향상되게 되며, 제공된 n형 전극과 p형 전극의 형상 및 배치에 의하여 전류 밀집 현상이 방지되어 균일한 발광 및 소자의 신뢰성이 향상된다.

  
[대표청구항]
N형 화합물 반도체층과, 상기 N형 화합물 반도체층 상의 소정영역에 형성된 활성층과, 상기 N형 화합물 반도체층에 있어서 상기 활성층이 형성되지 않아 노출된 영역에 형성되는 N형 전극과, 상기 활성층 상에 형성되는 P형 화합물 반도체층과, 상기 P형 화합물 반도체상의 소정영역에 형성되는 P형 전극을 포함하여 이루어지며,상기 구성요소들로 이루어진 결과물의 평면도가 삼각형 형태이며, 상기 N형 전극의 전류주입영역은 상기 삼각형의 꼭지점 중에서 선택된 어느 하나의 꼭지점에 위치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
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