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전기전자 : 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
 특허법인 이상    | 2008·11·05 14:18
[서지사항]
출원번호/일자    10-2006-0008823   (2006.01.27)
공개번호/일자    10-2006-0019618   (2006.03.03)  
공고번호/일자       (2006.04.27)  
등록번호/일자    10-0574101-0000   (2006.04.19)  
원출원권리    특허
원출원번호/일자    1020040001697   (2004.01.09)  
Family 출원번호    1020040001697    
출원인    광주과학기술원  

[요약]
본 발명은 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 N형 클래드층과 P형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에서, N형 클래드층의 노출된 부분에 레늄(RE), 텅스텐(W), 몰리브덴(MO)중 어느 하나로 형성된 N형 제1오믹컨택트층과, N형 제1오믹컨택트층 위에 타이타늄(TI)으로 형성된 N형 제2 오믹컨택트층 및 N형 제2오믹컨택트층 위에 금(AU)으로 형성된 N형 제3 오믹컨택트층을 구비한다. 이러한 질화물계 발광소자에 의하면, N형 클래드층과의 오믹접촉 특성 및 열적 안정성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 와이어 본딩 효율을 높일 수 있는 장점을 제공한다.  
  
[대표청구항]
N형 클래드층과 P형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에 있어서,상기 N형 클래드층의 노출된 부분에 타이타늄(TI)로 형성된 N형 제1오믹컨택트층과;상기 N형 제1오믹컨택트층 위에 알루미늄(AL)으로 형성된 N형 제2 오믹컨택트층과;상기 N형 제2오믹컨택트층 위에 레늄(RE)으로 형성된 N형 제3 오믹컨택트층; 및상기 N형 제3오믹컨택트층 위에 금(AU)으로 형성된 N형 제4 오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.  
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